casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C02-DRMN3TP/K
Número de pieza del fabricante | M24C02-DRMN3TP/K |
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Número de parte futuro | FT-M24C02-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M24C02-DRMN3TP/K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | 450ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C02-DRMN3TP/K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C02-DRMN3TP/K-FT |
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel