casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58BYG0S3HBAI4
Número de pieza del fabricante | TC58BYG0S3HBAI4 |
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Número de parte futuro | FT-TC58BYG0S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BYG0S3HBAI4 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-TFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG0S3HBAI4 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58BYG0S3HBAI4-FT |
W25Q128FVCIF
Winbond Electronics
W25Q128FVCIG
Winbond Electronics
W25Q128FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCIP
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel