casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58BYG1S3HBAI4
Número de pieza del fabricante | TC58BYG1S3HBAI4 |
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Número de parte futuro | FT-TC58BYG1S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BYG1S3HBAI4 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-TFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG1S3HBAI4 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58BYG1S3HBAI4-FT |
W25Q128FVCIG
Winbond Electronics
W25Q128FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCIP
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel