casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58BYG1S3HBAI4
Número de pieza del fabricante | TC58BYG1S3HBAI4 |
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Número de parte futuro | FT-TC58BYG1S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BYG1S3HBAI4 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-TFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG1S3HBAI4 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58BYG1S3HBAI4-FT |
W25Q128FVCIG
Winbond Electronics
W25Q128FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCIP
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF
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W25Q128FVCJF TR
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W25Q128FVCJQ
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W25Q128FVCJQ TR
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W25Q16DVTCIG
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W25Q256FVCIF
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W25Q256FVCIF TR
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A54SX32A-TQG144
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LCMXO1200C-4T100I
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LCMXO2280C-4T100C
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10AX115H3F34E2SG
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