casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58BVG0S3HBAI4

| Número de pieza del fabricante | TC58BVG0S3HBAI4 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TC58BVG0S3HBAI4 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Benand™ |
| TC58BVG0S3HBAI4 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
| Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
| Tiempo de acceso | 25ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 63-VFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 63-TFBGA (9x11) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TC58BVG0S3HBAI4 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TC58BVG0S3HBAI4-FT |

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EP4CE10F17A7N
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EPF10K30EFC256-3
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