casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / THGBMHG8C4LBAWR
Número de pieza del fabricante | THGBMHG8C4LBAWR |
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Número de parte futuro | FT-THGBMHG8C4LBAWR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | e•MMC™ |
THGBMHG8C4LBAWR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 52MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | eMMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 153-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 153-WFBGA (11.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THGBMHG8C4LBAWR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | THGBMHG8C4LBAWR-FT |
W25Q256JVCIQ
Winbond Electronics
W25Q256JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JVTCIQ
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W25Q32JVTCIQ TR
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W25Q64JVTCIQ
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W25Q64JVTCIQ TR
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W25Q128FVCIF
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W25Q128FVCIG
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W25Q128FVCIG TR
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W25Q128FVCIP
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EPF10K30ATI144-3N
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A54SX32A-2FGG484I
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LFE2-70E-6FN900I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
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