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Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI4

Número de pieza de MFG
TC58BYG2S0HBAI4
Cantidad disponible
72240 Piezas
Precio de referencia
USD 4.272
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Fecha de envío
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fabricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descripción
Benand™ 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
TC58BYG2S0HBAI4.pdf
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Número de pieza del fabricante TC58BYG2S0HBAI4
Número de parte futuro FT-TC58BYG2S0HBAI4
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Benand™
TC58BYG2S0HBAI4 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4G (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 63-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-TFBGA (9x11)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TC58BYG2S0HBAI4 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TC58BYG2S0HBAI4-FT

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