casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / EPC2105
Número de pieza del fabricante | EPC2105 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EPC2105 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2105 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
Potencia - max | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2105 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EPC2105-FT |
IPG20N06S4L14ATMA2
Infineon Technologies
IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
BTS7904BATMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
EP4CGX75CF23C6N
Intel
EP1S20F484C7N
Intel
EP4CE22F17C6N
Intel
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10AX027E4F29I3SG
Intel
XC6VHX565T-2FFG1923C
Xilinx Inc.
10M08SCM153C8G
Intel