casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / BSC150N03LDGATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC150N03LDGATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSC150N03LDGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC150N03LDGATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100pF @ 15V |
Potencia - max | 26W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC150N03LDGATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC150N03LDGATMA1-FT |
APTM08TAM04PG
Microsemi Corporation
APTM100TA35FPG
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APTM10TAM09FPG
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APTM10TDUM09PG
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APTM10TDUM19PG
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AGLN015V2-QNG68
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XC2VP70-5FF1517I
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A54SX32A-TQ176M
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LFE2M70SE-6F1152I
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A3P250-VQ100
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EP4CE40U19I7N
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Lattice Semiconductor Corporation