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Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Número de pieza de MFG
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Cantidad disponible
- 21910 Piezas
- Precio de referencia
- USD 77.928
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- CoolSiC™ MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CoolSiC™ |
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Potencia - max | 20mW |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caja | Module |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | FF23MR12W1M1B11BOMA1-FT |
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