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Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1

Número de pieza de MFG
BSC072N03LDGATMA1
Cantidad disponible
66840 Piezas
Precio de referencia
USD 0.465704
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante BSC072N03LDGATMA1
Número de parte futuro FT-BSC072N03LDGATMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSC072N03LDGATMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3500pF @ 15V
Potencia - max 57W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8 Dual
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC072N03LDGATMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSC072N03LDGATMA1-FT

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