casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / BSC750N10NDGATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC750N10NDGATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSC750N10NDGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC750N10NDGATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 720pF @ 50V |
Potencia - max | 26W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC750N10NDGATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC750N10NDGATMA1-FT |
APTM10TAM09FPG
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APTM10TAM19FPG
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APTM120TDU57PG
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XC3S700A-4FT256C
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XCV150-6FG456C
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5SGXEA9N3F45C2N
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XC4028XL-1BG256I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676
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EPF10K100ARC240-3
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EP1K50QI208-2N
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