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Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BPSA1

Name: DF23MR12W1M1B11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF23MR12W1M1B11BPSA1
Price: 79.016 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (410 reviews)

Número de pieza de MFG: DF23MR12W1M1B11BPSA1

Cantidad disponible: 95420 Piezas

Precio de referencia: USD 79.016

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolSiC™ MOSFET MOD 1200V 25A

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DF23MR12W1M1B11BPSA1.pdf

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DF23MR12W1M1B11BPSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DF23MR12W1M1B11BPSA1
Número de parte futuro	FT-DF23MR12W1M1B11BPSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolSiC™
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 10mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1840pF @ 800V
Potencia - max	20mW
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Caja	Module
Paquete del dispositivo del proveedor	AG-EASY1BM-2
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DF23MR12W1M1B11BPSA1-FT

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