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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1

Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1
Price: 0.377808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (602 reviews)

Número de pieza de MFG: IPG20N10S4L35ATMA1

Cantidad disponible: 52200 Piezas

Precio de referencia: USD 0.377808

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPG20N10S4L35ATMA1.pdf

IPG20N10S4L35ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPG20N10S4L35ATMA1
Número de parte futuro	FT-IPG20N10S4L35ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L35ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 16µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1105pF @ 25V
Potencia - max	43W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-4
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L35ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPG20N10S4L35ATMA1-FT

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