casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / EPC2100
Número de pieza del fabricante | EPC2100 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EPC2100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
Potencia - max | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EPC2100-FT |
IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
BTS7904BATMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C7
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFXP3C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H2F35I2L
Intel