casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M95010-RMN6TP
Número de pieza del fabricante | M95010-RMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M95010-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M95010-RMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95010-RMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M95010-RMN6TP-FT |
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
XC3S1000-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.