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Toshiba Memory America, Inc. TH58NYG2S3HBAI4

Name: TH58NYG2S3HBAI4
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TH58NYG2S3HBAI4
Price: 6.2 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (117 reviews)

Número de pieza de MFG: TH58NYG2S3HBAI4

Cantidad disponible: 67150 Piezas

Precio de referencia: USD 6.2

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Memory America, Inc.

Breve descripción: - 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TH58NYG2S3HBAI4.pdf

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TH58NYG2S3HBAI4 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TH58NYG2S3HBAI4
Número de parte futuro	FT-TH58NYG2S3HBAI4
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TH58NYG2S3HBAI4 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	25ns
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	63-BGA
Paquete del dispositivo del proveedor	63-BGA (9x11)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58NYG2S3HBAI4 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TH58NYG2S3HBAI4-FT

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