casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58NYG2S0HBAI4
Número de pieza del fabricante | TC58NYG2S0HBAI4 |
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Número de parte futuro | FT-TC58NYG2S0HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TC58NYG2S0HBAI4 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-TFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NYG2S0HBAI4 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58NYG2S0HBAI4-FT |
W25Q128FVCJF TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP TR
Winbond Electronics
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel