casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI35CN10N G
Número de pieza del fabricante | IPI35CN10N G |
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Número de parte futuro | FT-IPI35CN10N G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI35CN10N G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 27A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1570pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 58W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI35CN10N G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI35CN10N G-FT |
BSB013NE2LXIXUMA1
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AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
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A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel