casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSB014N04LX3GXUMA1
Número de pieza del fabricante | BSB014N04LX3GXUMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSB014N04LX3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB014N04LX3GXUMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 16900pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paquete / Caja | 3-WDSON |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB014N04LX3GXUMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSB014N04LX3GXUMA1-FT |
IPT60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R033G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
AUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
AUIRF7734M2TR
Infineon Technologies
IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel