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Infineon Technologies BSB012NE2LX

Name: BSB012NE2LX
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB012NE2LX
Availability: InStock
Rating: 4.6 (263 reviews)

Número de pieza de MFG: BSB012NE2LX

Cantidad disponible: 45200 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSB012NE2LX.pdf

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BSB012NE2LX Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSB012NE2LX
Número de parte futuro	FT-BSB012NE2LX
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSB012NE2LX Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	37A (Ta), 170A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4900pF @ 12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja	3-WDSON
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012NE2LX Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSB012NE2LX-FT

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