casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSB012NE2LX
Número de pieza del fabricante | BSB012NE2LX |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSB012NE2LX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB012NE2LX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 37A (Ta), 170A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4900pF @ 12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paquete / Caja | 3-WDSON |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB012NE2LX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSB012NE2LX-FT |
AUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
AUIRF7734M2TR
Infineon Technologies
IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
IPL60R199CPAUMA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel