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Infineon Technologies BSB008NE2LXXUMA1

Número de pieza de MFG
BSB008NE2LXXUMA1
Cantidad disponible
23680 Piezas
Precio de referencia
USD 0.8866
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSB008NE2LXXUMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 46A (Ta), 180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 343nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 16000pF @ 12V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja 3-WDSON
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB008NE2LXXUMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSB008NE2LXXUMA1-FT

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