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Infineon Technologies BSB012NE2LXIXUMA1

Name: BSB012NE2LXIXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB012NE2LXIXUMA1
Price: 0.786504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (294 reviews)

Número de pieza de MFG: BSB012NE2LXIXUMA1

Cantidad disponible: 50280 Piezas

Precio de referencia: USD 0.786504

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 170A WDSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSB012NE2LXIXUMA1.pdf

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BSB012NE2LXIXUMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSB012NE2LXIXUMA1
Número de parte futuro	FT-BSB012NE2LXIXUMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSB012NE2LXIXUMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	170A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5852pF @ 12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja	3-WDSON
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012NE2LXIXUMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSB012NE2LXIXUMA1-FT

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