casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSB028N06NN3GXUMA1
Número de pieza del fabricante | BSB028N06NN3GXUMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSB028N06NN3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB028N06NN3GXUMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Ta), 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 102µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12000pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paquete / Caja | 3-WDSON |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB028N06NN3GXUMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSB028N06NN3GXUMA1-FT |
IPT65R033G7XTMA1
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XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
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M1AGL600V5-FG484I
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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XC6VLX195T-3FFG784C
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5CGXFC4C7U19C8N
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