casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI25N06S3L-22
Número de pieza del fabricante | IPI25N06S3L-22 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPI25N06S3L-22 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI25N06S3L-22 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.6 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2260pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI25N06S3L-22 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI25N06S3L-22-FT |
SPW52N50C3FKSA1
Infineon Technologies
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies
BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB013NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
BSB014N04LX3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB028N06NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB008NE2LXXUMA1
Infineon Technologies
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB012NE2LX
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation