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Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

Número de pieza de MFG
BSB056N10NN3GXUMA1
Cantidad disponible
12310 Piezas
Precio de referencia
USD 1.248952
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSB056N10NN3GXUMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Ta), 83A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5500pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja 3-WDSON
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB056N10NN3GXUMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSB056N10NN3GXUMA1-FT

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