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Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

Name: BSB056N10NN3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB056N10NN3GXUMA1
Price: 1.248952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (443 reviews)

Número de pieza de MFG: BSB056N10NN3GXUMA1

Cantidad disponible: 12310 Piezas

Precio de referencia: USD 1.248952

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSB056N10NN3GXUMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	BSB056N10NN3GXUMA1
Número de parte futuro	FT-BSB056N10NN3GXUMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSB056N10NN3GXUMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Ta), 83A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5500pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja	3-WDSON
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB056N10NN3GXUMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSB056N10NN3GXUMA1-FT

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