casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2818-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2818-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2818-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2818-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 20V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2818-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2818-TR2G-FT |
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
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BAR9002ELSE6327XTSA1
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BAR9002LRHE6327XTSA1
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BAR8802VH6327XTSA1
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BAR6302VH6327XTSA1
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XC2S200-6FG456C
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AGL1000V2-FG484I
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M1A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
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EP3C40U484C8
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5SGXMA7K3F40C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation