casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR8902LRHE6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BAR8902LRHE6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAR8902LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR8902LRHE6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 80V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-882 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR8902LRHE6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR8902LRHE6327XTSA1-FT |
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
5SGXEA5H2F35C2L
Intel
10AX090H1F34E1SG
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel
EP1C12F324C7N
Intel
5SGSMD4H2F35C2L
Intel