casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT 68-08S E6327
Número de pieza del fabricante | BAT 68-08S E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BAT 68-08S E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT 68-08S E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 3 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 8V |
Actual - max | 130mA |
Capacitancia a Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Disipación de potencia (max) | 150mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 68-08S E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT 68-08S E6327-FT |
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel