casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT1502LRHE6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BAT1502LRHE6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAT1502LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT1502LRHE6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | 110mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-882 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT1502LRHE6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT1502LRHE6327XTSA1-FT |
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4VFX140-10FF1517C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
XC5VFX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
5CEBA2U19C7N
Intel
EPF10K100EBC356-1B
Intel