casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT1502LRHE6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BAT1502LRHE6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAT1502LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT1502LRHE6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | 110mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-882 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT1502LRHE6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT1502LRHE6327XTSA1-FT |
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel