casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR8802VH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BAR8802VH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAR8802VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR8802VH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 80V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 600 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SC79-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR8802VH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR8802VH6327XTSA1-FT |
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel