casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT 62-09S E6327
Número de pieza del fabricante | BAT 62-09S E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BAT 62-09S E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT 62-09S E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 40V |
Actual - max | 20mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 62-09S E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT 62-09S E6327-FT |
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35E2SG
Intel
XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C6G
Intel