casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT 62-09S E6327
Número de pieza del fabricante | BAT 62-09S E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BAT 62-09S E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT 62-09S E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 40V |
Actual - max | 20mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 62-09S E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT 62-09S E6327-FT |
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG256M
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C8LN
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5AGXBA1D4F27I5
Intel
5SGSMD8N1F45I2N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27E2SG
Intel
10AX022E3F27E1HG
Intel