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EPC EPC2100ENG

Name: EPC2100ENG
Brand: EPC
SKU: EPC2100ENG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (109 reviews)

Número de pieza de MFG: EPC2100ENG

Cantidad disponible: 57830 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: EPC

Breve descripción: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: EPC2100ENG.pdf

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Número de pieza del fabricante	EPC2100ENG
Número de parte futuro	FT-EPC2100ENG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2100ENG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potencia - max	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	Die
Paquete del dispositivo del proveedor	Die
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2100ENG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	EPC2100ENG-FT

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