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Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1

Name: DF11MR12W1M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF11MR12W1M1B11BOMA1
Price: 107.488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (705 reviews)

Número de pieza de MFG: DF11MR12W1M1B11BOMA1

Cantidad disponible: 42430 Piezas

Precio de referencia: USD 107.488

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 50A

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf

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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Número de parte futuro	FT-DF11MR12W1M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolSiC™
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 20mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3950pF @ 800V
Potencia - max	20mW
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Caja	Module
Paquete del dispositivo del proveedor	Module
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DF11MR12W1M1B11BOMA1-FT

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