casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXMN6A09KQTC
Número de pieza del fabricante | ZXMN6A09KQTC |
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Número de parte futuro | FT-ZXMN6A09KQTC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ZXMN6A09KQTC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1426pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 10.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN6A09KQTC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN6A09KQTC-FT |
DMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
DMN2005LP4K-7
Diodes Incorporated
DMN2990UFA-7B
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DMN32D2LFB4-7
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DMN3730UFB4-7
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DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMN2500UFB4-7
Diodes Incorporated
DMN2501UFB4-7
Diodes Incorporated
DMP21D5UFB4-7B
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel