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Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7

Name: DMN26D0UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN26D0UFB4-7
Price: 0.054648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (150 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN26D0UFB4-7

Cantidad disponible: 15670 Piezas

Precio de referencia: USD 0.054648

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN26D0UFB4-7.pdf

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Número de pieza del fabricante	DMN26D0UFB4-7
Número de parte futuro	FT-DMN26D0UFB4-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN26D0UFB4-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	230mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	14.1pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / Caja	3-XFDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN26D0UFB4-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN26D0UFB4-7-FT

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