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Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7
- Número de pieza de MFG
- DMN2501UFB4-7
- Cantidad disponible
- 47880 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.0872
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Diodes Incorporated
- Breve descripción
- - MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- DMN2501UFB4-7.pdf
DMN2501UFB4-7 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | DMN2501UFB4-7 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-DMN2501UFB4-7 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMN2501UFB4-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 82pF @ 16V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | X2-DFN1006-3 |
| Paquete / Caja | 3-XFDFN |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN2501UFB4-7 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | DMN2501UFB4-7-FT |
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