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DMN2500UFB4-7 Image

Diodes Incorporated DMN2500UFB4-7

Número de pieza de MFG
DMN2500UFB4-7
Cantidad disponible
95330 Piezas
Precio de referencia
USD 0.0672
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Garantía
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ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN2500UFB4-7 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 810mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 60.67pF @ 16V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 460mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja 3-XFDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2500UFB4-7 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMN2500UFB4-7-FT

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