casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP22D4UFA-7B
Número de pieza del fabricante | DMP22D4UFA-7B |
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Número de parte futuro | FT-DMP22D4UFA-7B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP22D4UFA-7B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 330mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 28.7pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 400mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-DFN0806H4 |
Paquete / Caja | 3-XFDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP22D4UFA-7B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMP22D4UFA-7B-FT |
DMN61D8LQ-13
Diodes Incorporated
DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel