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Microchip Technology TP2635N3-G
- Número de pieza de MFG
- TP2635N3-G
- Cantidad disponible
- 37260 Piezas
- Precio de referencia
- USD 1.216
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Microchip Technology
- Breve descripción
- - MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TP2635N3-G.pdf
TP2635N3-G Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TP2635N3-G |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TP2635N3-G |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| TP2635N3-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 350V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180mA (Tj) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 300mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
| Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TP2635N3-G Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TP2635N3-G-FT |
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