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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6009-H(TE85L,FM
- Número de pieza de MFG
- TPC6009-H(TE85L,FM
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- 11290 Piezas
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- USD 0
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSVI-H MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TPC6009-H(TE85L,FM.pdf
TPC6009-H(TE85L,FM Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TPC6009-H(TE85L,FM |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TPC6009-H(TE85L,FM |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVI-H |
| TPC6009-H(TE85L,FM Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 81 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC6009-H(TE85L,FM Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TPC6009-H(TE85L,FM-FT |
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