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Infineon Technologies IRF5806

Número de pieza de MFG
IRF5806
Cantidad disponible
62360 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-IRF5806
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF5806 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 594pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5806 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF5806-FT

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