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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H(TE85L,FM

Name: TPC6010-H(TE85L,FM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6010-H(TE85L,FM
Availability: InStock
Rating: 4.8 (659 reviews)

Número de pieza de MFG: TPC6010-H(TE85L,FM

Cantidad disponible: 33760 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPC6010-H(TE85L,FM.pdf

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TPC6010-H(TE85L,FM Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPC6010-H(TE85L,FM
Número de parte futuro	FT-TPC6010-H(TE85L,FM
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI-H
TPC6010-H(TE85L,FM Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	830pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6010-H(TE85L,FM Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPC6010-H(TE85L,FM-FT

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