casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3443DVTRPBF
Número de pieza del fabricante | SI3443DVTRPBF |
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Número de parte futuro | FT-SI3443DVTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
SI3443DVTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1079pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Micro6™(TSOP-6) |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3443DVTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI3443DVTRPBF-FT |
CPH6350-TL-W
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APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
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LFE2M20E-6FN256I
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