casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN0610N3-G
Número de pieza del fabricante | TN0610N3-G |
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Número de parte futuro | FT-TN0610N3-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN0610N3-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 750mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0610N3-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN0610N3-G-FT |
TPC6006-H(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6008-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6009-H(TE85L,FM
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TPC6010-H(TE85L,FM
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TPC6107(TE85L,F,M)
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XC4VLX40-11FFG1148I
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A3P1000-FGG144T
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LCMXO640E-3MN100C
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EP1S20F780C7
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