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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6109-H(TE85L,FM

Name: TPC6109-H(TE85L,FM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6109-H(TE85L,FM
Availability: InStock
Rating: 4.6 (127 reviews)

Número de pieza de MFG: TPC6109-H(TE85L,FM

Cantidad disponible: 16700 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIII-H MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPC6109-H(TE85L,FM.pdf

TPC6109-H(TE85L,FM Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPC6109-H(TE85L,FM
Número de parte futuro	FT-TPC6109-H(TE85L,FM
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII-H
TPC6109-H(TE85L,FM Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	490pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6109-H(TE85L,FM Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPC6109-H(TE85L,FM-FT

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