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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107(TE85L,F,M)
- Número de pieza de MFG
- TPC6107(TE85L,F,M)
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- 90640 Piezas
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- USD 0
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSIV MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TPC6107(TE85L,F,M).pdf
TPC6107(TE85L,F,M) Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TPC6107(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TPC6107(TE85L,F,M) |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSIV |
| TPC6107(TE85L,F,M) Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 680pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC6107(TE85L,F,M) Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TPC6107(TE85L,F,M)-FT |
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