casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK32A12N1,S4X
Número de pieza del fabricante | TK32A12N1,S4X |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TK32A12N1,S4X |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK32A12N1,S4X Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 32A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2000pF @ 60V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 30W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK32A12N1,S4X Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK32A12N1,S4X-FT |
TK8R2A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI630GPBF
Vishay Siliconix
IRFIBE20GPBF
Vishay Siliconix
TK17A80W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R5016FNX
Rohm Semiconductor
R6020FNX
Rohm Semiconductor
IPA60R385CPXKSA1
Infineon Technologies
TK40A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4R3A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6010ANX
Rohm Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel