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Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL,S4X

Name: TK8R2A06PL,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8R2A06PL,S4X
Price: 1.272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (412 reviews)

Número de pieza de MFG: TK8R2A06PL,S4X

Cantidad disponible: 15450 Piezas

Precio de referencia: USD 1.272

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK8R2A06PL,S4X.pdf

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TK8R2A06PL,S4X Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK8R2A06PL,S4X
Número de parte futuro	FT-TK8R2A06PL,S4X
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX-H
TK8R2A06PL,S4X Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	28.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1990pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK8R2A06PL,S4X Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK8R2A06PL,S4X-FT

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