casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / R6020FNX
Número de pieza del fabricante | R6020FNX |
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Número de parte futuro | FT-R6020FNX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6020FNX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2040pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220FM |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020FNX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R6020FNX-FT |
TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK15S04N1L,LQ
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TK20S04K3L(T6L1,NQ
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TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2P60D(TE16L1,NQ)
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TK30S06K3L(T6L1,NQ
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TK35S04K3L(T6L1,NQ
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TK40P03M1(T6RSS-Q)
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TK40P04M1(T6RSS-Q)
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EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel