casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK4R3A06PL,S4X
Número de pieza del fabricante | TK4R3A06PL,S4X |
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Número de parte futuro | FT-TK4R3A06PL,S4X |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIX-H |
TK4R3A06PL,S4X Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3280pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 36W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK4R3A06PL,S4X Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK4R3A06PL,S4X-FT |
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2P60D(TE16L1,NQ)
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TK30S06K3L(T6L1,NQ
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TK35S04K3L(T6L1,NQ
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TK40P03M1(T6RSS-Q)
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TK40P04M1(T6RSS-Q)
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TK40S10K3Z(T6L1,NQ
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TK4P50D(T6RSS-Q)
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TK4P55D(T6RSS-Q)
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A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
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LCMXO2-256HC-4SG32I
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LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
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5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.